금속 기판의 표면 처리를 위한 수성 염기성 에칭 조성물

본 발명은 금속 기판의 표면 처리를 위한 수성 염기성 에칭 조성물로서, 하기: (a) 하기 화학식 I 및 II 의 화합물 및/또는 그의 염을 포함하는 군으로부터 선택된 작용기화 우레아, 뷰렛 및 구아니딘 유도체 및/또는 그의 염: JPEGpct00022.jpg38151 식 중 X 및 Y 는 산소, NRR' 및 NR5 를 포함하는 군으로부터 독립적으로 선택되고, R, R' 및 R5 는 R1, 수소, 폴리에틸렌 글리콜, 방향족 화합물, 및 C1-C4 알킬을 포함하는 군으로부터 독립적으로 선택되고, 방향족 화합물 및 C1-C4 알킬은 OR6 으로서 선택되는 적어도 하나의 치환기를 임의로 포함하고, R6 은 수소 및 C1-C4 알킬을 포함하는 군으로부터 선택되고, X 및 Y 는 동일하거나 상이할 수 있고; R1 및 R2 는 수소, 알킬 화합물, 아민 및 질소-포함 헤테로방향족 화합물을 포함하는 군으로부터 독립적으로 선택되고, R1 및 R2 는 동일하거나 상이할 수 있으며, 단 R1 은 수소일 수 없고, 단, 화학식 I 의 화합물에서 R1 은 X 가 산소인 경우 수소 또는 알킬 화합물일 수 없고; m 은 1 내지 4 의 정수, 바람직하게는 3 이고; n 은 0 내지 8, 바람직하게 2 내지 4 의 정수이고; m 및 n 은 동일하거나 상이할 수 있음; (b) 처리되는 금속 표면의 금속을 산화시키기 위한 산화제 를 포함하고; 수성 염기성 에칭 조성물의 pH 는 7.1 내지 14 를 포함하는 수성 염기성 에칭 조성물에 관한 것이다. The present invention is directed to an aqueous basic etching composition for the treatment of surfaces of metal substrates, the composition comprising:(a) functionalized urea, biuret and guanidine derivatives and/or salts thereof selected from the group comprising compounds having formulae I and II and/or salts thereof:whereinX and Y are independently selected from the group comprising oxygen, NRR' and NR5,wherein R, R' and R5 are independently selected from the group comprising R1, hydrogen, polyethylene glycoles, aromatic compounds, and C1-C4 alkyl, wherein the aromatic compounds and C1-C4 alkyl optionally comprise at least one substituent selected as OR6,wherein R6 is selected from the group comprising hydrogen and C1-C4 alkyl,wherein X and Y can be identical or different;R1 and R2 are independently selected from the group comprising hydrogen, alkyl compounds, amines, and nitrogen-comprising heteroaromatic compounds,wherein R1 and R2 can be identical or different, with the proviso that R1 cannot be hydrogen;m is an integer from 1 to 4, preferably 3; andn is an integer from 0 to 8, preferably 2 to 4;wherein m and n can be identical or different;(b) an oxidizing agent for oxidizing the metals of the metal surface to be treated; andwherein the aqueous basic etching composition comprises a pH from 7.1 to 14.