증기 침착 전구체 화합물 및 사용 방법

에칭-저항성 SiOCN 막을 침착시키기 위한 플라즈마 강화 원자 층 침착 (PEALD) 방법이 제공된다. 이들 막은 향상된 성장 속도, 향상된 스텝 커버리지 및 습식 에칭제 및 O2 및 NH3 공-반응물을 함유하는 침착-후 플라즈마 처리에 대한 우수한 에칭 저항성을 제공한다. 이러한 PEALD 방법은 SiOCN의 에칭-저항성 박막을 침착시키기 위해 플라즈마 노출과 동시에 반응하는 하나 이상의 전구체에 의존한다. 막은 침착 후에 그리고 침착-후 플라즈마 처리(들) 후에 모두 희석 HF 수용액을 사용한 습식 에칭에 대해 우수한 저항성을 나타낸다. 따라서, 이들 막은 디바이스 제조 및 구축 동안 활용되는 침착-후 제조 단계에 대하여 우수한 안정성을 나타낼 것으로 예상된다. Provided is a plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) process for depositing etch-resistant SiOCN films. These films provide improved growth rate, improved step coverage and excellent etch resistance to wet etchants and post-deposition plasma treatments containing O2 and NH3 co-reactants. This PEALD process relies on one or more precursors reacting in tandem with the plasma exposure to deposit the etch-resistant thin-films of SiOCN. The films display excellent resistance to wet etching with dilute aqueous HF solutions, both after deposition and after post-deposition plasma treatment(s). Accordingly, these films are expected to display excellent stability towards post-deposition fabrication steps utilized during device manufacturing and build.