SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND DISPLAY DEVICE

A semiconductor light-emitting device comprises: a first conductive semiconductor layer; an active layer; a second conductive semiconductor layer; a third semiconductor layer; and first insulating layer. The active layer is disposed on the first conductive semiconductor layer and can have a first region and a second region surrounding the first region. The third semiconductor layer can be disposed between the first region and the first conductive semiconductor layer. The first insulating layer can be disposed between the second region and the first conductive semiconductor layer. The semiconductor light-emitting device includes an AlGaInP-based red semiconductor light-emitting device. The current density of the semiconductor light-emitting device can be 10 A/cm^2 or less. Therefore, even if having a small size, the semiconductor light-emitting device can increase luminance. 반도체 발광 소자는 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층, 제3 반도체층 및 제1 절연층을 포함한다. 활성층은 제1 도전형 반도체층 상에 배치되고, 제1 영역과 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 가질 수 있다. 제3 반도체층은 제1 영역과 제1 도전형 반도체층 사이에 배치될 수 있다. 제1 절연층은 제2 영역과 제1 도전형 반도체층 사이에 배치될 수 있다. 반도체 발광 소자는 AlGaInP 계열의 적색 반도체 발광 소자를 포함하고, 반도체 발광 소자의 전류 밀도는 10A/cm2 이하일 수 있다.