반도체 구조를 에칭하기 위한 요오드-함유 플루오로카본 및 히드로플루오로카본 화합물

규소-함유 필름을 에칭하여 패턴화된 구조를 형성하는 방법, 패턴화된 구조를 형성하면서 패턴화된 마스크 층을 보강하고/하거나 강화하고/하거나 그의 손상을 최소화하는 방법 및 패턴화된 구조를 형성하는 공정에서 패턴화된 마스크 층의 내에칭성을 증가시키는 방법이 개시된다. 이 방법은 화학식 CnHxFyIz (여기서, 4 ≤ n ≤ 10, 0 ≤ x ≤ 21, 0 ≤ y ≤ 21, 및 1 ≤ z ≤ 4임)을 갖는 활성화된 요오드-함유 에칭 화합물을 에칭 가스로 사용하는 것을 포함한다. 활성화된 요오드-함유 에칭 화합물은 요오드 이온을 생성하고, 이는 패턴화된 하드마스크 층에 주입되어, 패턴화된 마스크 층을 강화한다. Disclosed are methods for etching a silicon-containing film to form a patterned structure, methods for reinforcing and/or strengthening and/or minimizing damage of a patterned mask layer while forming a patterned structure and methods for increasing etch resistance of a patterned mask layer in a process of forming a patterned structure. The methods include using an activated iodine-containing etching compound having the formula CnHxFyIz, wherein 4≤n≤10, 0≤x≤21, 0≤y≤21, and 1≤z≤4 as an etching gas. The activated iodine-containing etching compound produces iodine ions, which are implanted into the patterned hardmask layer, thereby strengthening the patterned mask layer.