Jig structure for semiconductor packaging process and manufacturing method thereof

Disclosed are a jig structure for a semiconductor packaging process and a manufacturing method thereof. The disclosed jig structure for a semiconductor packaging process can comprise: a jig-shaped metal body; a surface-modified layer formed on a surface unit of the metal body; an adhesive layer arranged on the surface-modified layer; and a low-reflection static electricity prevention layer arranged on the adhesive layer. The low-reflection static electricity prevention layer can include one or more of an oxide, nitride, and oxynitride. For instance, the low-reflection static electricity prevention layer can include one or more of a tantalum (Ta) oxynitride, titanium (Ti) oxynitride, and Ta Ti oxynitride. The low-reflection static electricity prevention layer can have a reflection rate of around 50% or lower for a light of the range of wavelength of around 400-700 nm. The low-reflection static electricity prevention layer can have a color of black. Therefore, excellent durability and abrasion resistance can be realized. 반도체 패키징 공정용 지그 구조체 및 그 제조 방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 반도체 패키징 공정용 지그 구조체는 지그 형태를 갖는 금속체, 상기 금속체의 표면부에 형성된 표면 개질층, 상기 표면 개질층 상에 배치된 접착층 및 상기 접착층 상에 배치된 저반사 정전기 방지층을 포함할 수 있다. 상기 저반사 정전기 방지층은 산화물, 질화물 및 산질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 저반사 정전기 방지층은 탄탈륨(Ta) 산질화물, 티타늄(Ti) 산질화물 및 탄탈륨 티타늄 산질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 저반사 정전기 방지층은 약 400 nm ∼ 700 nm 파장 범위의 광에 대하여 약 50% 이하의 반사율을 가질 수 있다. 상기 저반사 정전기 방지층은 검은색 계열의 색상을 가질 수 있다.