Semiconductor device and Memory system comprising the same

According to exemplary embodiments, a semiconductor device is provided. The semiconductor device comprises: a plurality of insulating layers and a plurality of gate electrodes which are alternately arranged along a first direction; and a plurality of channel structures which penetrate the plurality of gate electrodes and the plurality of insulating layers in the first direction. Each of the gate electrodes includes: a first conductive layer which includes an inner wall surrounding the plurality of channel structures; and a second conductive layer which is separated in a second direction perpendicular to the first direction from the plurality of channel structures. Resistivity of the second conductive layer is lower than that of the first conductive layer. The present invention can improve a response speed of the semiconductor device. 예시적인 실시예들에 따르면, 반도체 소자가 제공된다. 상기 반도체 소자는, 제1 방향을 따라 교대로 배열된 복수의 절연층들 및 복수의 게이트 전극들; 및 상기 복수의 게이트 전극들 및 상기 복수의 절연층들을 상기 제1 방향으로 관통하는 복수의 채널 구조들;을 포함하되, 상기 게이트 전극들 각각은, 상기 복수의 채널 구조들을 둘러싸는 내벽을 포함하는 제1 도전층; 상기 복수의 채널 구조들로부터 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 이격된 제2 도전층을 포함하되, 상기 제2 도전층의 비저항(Resistivity)은 상기 제1 도전층의 비저항보다 더 작다.