Roll to Roll Plasma Portion Nano Atomic Layder Depostion System By Using Remote Microwave Transmission and Capacitively Coupled Plasma

A nano-atomic layer deposition system according to the present invention comprises: a microwave oscillator; a waveguide through which a microwave oscillated from the microwave oscillator is transmitted; a window member which is provided on a lower side of the waveguide and through which the microwave transmitted along the waveguide passes; a magnet module provided on a lower side of the window member and forming a magnetic field corresponding to the microwave passing through the window member; a plasma chamber unit provided on a lower side of the magnet module and having a plasma chamber with a space for generating plasma and a gas supply pipe through which a reaction gas for generating the plasma is supplied within the plasma chamber; a capacitively coupled plasma (CCP) type electrode unit provided on a lower part of the plasma chamber unit and having a CCP plate having a plurality of passing holes through which the plasma and the reaction gas in the plasma chamber pass and a first high-frequency power supply unit for supplying RF voltage to the CCP plate to generate the plasma in the plasma chamber; and a chamber device provided on a lower side of the CCP type electrode unit and having a substrate transfer unit for transferring a substrate for depositing a nano-atomic layer in a vacuum state. Accordingly, the present invention can significantly reduce the deposition defect rate. 본 발명에 따른 나노 원자층 증착 시스템은 마이크로웨이브 발진기; 상기 마이크로웨이브 발진기로부터 발진된 마이크로웨이브가 전송되는 도파관; 상기 도파관의 하부측에 제공되며, 상기 도파관을 따라 전송되는 상기 마이크로웨이브가 투과되는 윈도우부재; 상기 윈도우부재의 하부측에 제공되며, 상기 윈도우부재를 투과한 상기 마이크로웨이브에 대응하는 자기장을 형성하는 마그넷 모듈; 상기 마그넷 모듈의 하부측에 제공되고, 플라즈마가 생성되는 공간이 마련된 플라즈마 챔버 및 상기 플라즈마 챔버 내에서 상기 플라즈마를 발생시키기 위한 반응가스가 공급되는 가스공급관 을 구비한 플라즈마 챔버부; 상기 플라즈마 챔버부의 하부측에 제공되며 상기 플라즈마 챔버 내의 상기 플라즈마 및 상기 반응가스가 통과되는 복수의 통과홀을 가지는 CCP 플레이트, 및 상기 플라즈마 챔버 내에서 상기 플라즈마를 생성하기 위해 상기 CCP 플레이트에 RF전압을 공급하는 제1 고주파 전원공급부를 포함하는 CCP(Capacitively Coupled Plasma) 방식 전극부; 및 상기 CCP 방식 전극부의 하부측에 제공되며, 진공 상태에서 나노 원자층을 증착하기 위한 기판을 이송시키기 위한 기판이송부가 구비된 챔버장치;를 포함한다.