PHOTODETECTOR

본 발명의 센서는 입사광을 전하로 변환하고 애노드 및 제1 기판의 웰 영역에 있는 캐소드를 포함하는 애벌란치 포토다이오드를 포함하는 적어도 하나의 제1 픽셀을 포함하는 상기 제1 기판과, 상기 제1 픽셀에 인접한 적어도 하나의 제2 픽셀로부터 상기 웰 영역을 분리하는 분리 영역과, 상기 분리 영역과 상기 웰 영역 사이에, 상기 애노드에 전기적으로 접속되어 있는 홀 축적 영역을 포함한다. A sensor, comprising a first substrate (41) including a first semiconductor layer (310) including a first avalanche photodiode (21) including a first cathode region (101) and a first anode region (105); and a first isolation region (108), a first wiring layer (41, 311) including a first wiring; a first via (104), wherein the first cathode region (101) is electrically connected to the first wiring through the first via (104); a second wiring; and a second via (106), wherein the first anode region (105) is electrically connected to the second wiring through the second via (106); and a second substrate (42) stacked on the first substrate, the second substrate including a second wiring layer (42, 610) including a third wiring directly bonded to the first wiring; and a fourth wiring directly bonded to the second wiring; and a second semiconductor layer (610), wherein the first anode region (105) is disposed between the first cathode region (101) and the first isolation region (108).