PLASMA PROCESSING APPARATUS

The present invention provides a technique for suppressing discharge in a choke structure of a plasma processing apparatus. The plasma processing apparatus comprises a chamber, an introduction part, and a choke structure. The introduction part is provided to introduce an electromagnetic wave into the chamber therefrom. The choke structure is provided on a wall of the chamber. The choke structure is configured to suppress downstream electromagnetic wave propagation along an inner wall of the chamber from a site provided thereon. The choke structure includes a first part and a second part on a slit. The first part is connected to a space in the chamber. The second part is extended from the first part in the wall of the chamber. The length of the second part in the electric field direction of electromagnetic waves in the second part is longer than the length of the first part in the electric field direction of electromagnetic waves in the first part. 본 발명은, 플라스마 처리 장치의 초크 구조에서의 방전을 억제하는 기술을 제공한다. 개시되는 플라스마 처리 장치는, 챔버, 도입부 및 초크 구조를 구비한다. 도입부는, 거기로부터 챔버 내에 전자파가 도입되도록 마련되어 있다. 초크 구조는, 챔버의 벽에 마련되어 있다. 초크 구조는, 그것이 마련된 개소로부터 챔버의 내벽면을 따른 하류에의 전자파의 전파를 억제하도록 구성되어 있다. 초크 구조는, 슬릿상의 제1 부분 및 제2 부분을 포함한다. 제1 부분은, 챔버 내의 공간에 접속되어 있다. 제2 부분은, 챔버의 벽 중에서 제1 부분으로부터 연장된다. 제2 부분에서의 전자파의 전계 방향을 따른 제2 부분의 길이는, 제1 부분에서의 전자파의 전계 방향을 따른 제1 부분의 길이보다도 길다.