CMP SLURRY COMPOSITIONS AND METHODS FOR ALUMINUM POLISHING

알루미늄 표면을 연마하는데 적합한 화학적 기계적 연마 (CMP) 조성물 및 방법이 기재되어 있다. 상기 조성물은 음이온성 중합체로 코팅되고, 산성 또는 중성 pH 캐리어에 현탁된 알루미나 연마제 입자를 포함한다. 일부 경우에, 연마 보조제, 예컨대 실리카, 카르복실산, 포스폰산 화합물, 또는 이들의 조합이 CMP 조성물에 첨가될 수 있다. 기재된 CMP 조성물 및 방법은 비코팅된 알루미나 연마제를 사용한 CMP 방법에 비해, 연마 효율을 개선시키고 연마된 알루미늄 표면 상 표면 결함을 감소시킨다. Chemical-mechanical polishing (CMP) compositions and methods are described, which are suitable for polishing an aluminum surface. The compositions comprise alumina abrasive particles coated with an anionic polymer, and suspended in an acidic or neutral pH carrier. In some cases, a polishing aid such as silica, a carboxylic acid, a phosphonic acid compound, or a combination thereof may be added to the CMP compositions. The described CMP compositions and methods improve polishing efficacy and reduce surface imperfections on a polished aluminum surface compared to CMP methods using uncoated alumina abrasive.