작업물 홀더 및 이를 포함하는 에칭 시스템

균일한 방식으로 작업물을 에칭하기 위한 시스템 및 방법이 개시된다. 시스템은, 리본 이온 빔을 생성하는 반도체 프로세싱 시스템, 및 리본 이온 빔을 통해 작업물을 스캔하는 작업물 홀더를 포함한다. 작업물 홀더는, 작업물의 상이한 영역들의 온도가 개별적으로 제어될 수 있도록 복수의 독립적으로 제어되는 열 구역(zone)들을 포함한다. 특정 실시예들에서, 에칭 레이트 균일성은, 방사상 비-균일성으로도 지칭되는 작업물의 중심으로부터의 거리의 함수일 수 있다. 추가로, 작업물이 스캔될 때, 선형 비-균일성으로도 지칭되는 병진이동 방향에서의 에칭 레이트 균일성 이슈들이 또한 존재할 수 있다. 본 작업물 홀더는 방사상 및 선형 에칭 레이트 비균일성 둘 모두를 보상하기 위해 복수의 독립적으로 제어되는 열 구역들을 포함한다. A system and method for etching workpieces in a uniform manner are disclosed. The system includes a semiconductor processing system that generates a ribbon ion beam, and a workpiece holder that scans the workpiece through the ribbon ion beam. The workpiece holder includes a plurality of independently controlled thermal zones so that the temperature of different regions of the workpiece may be separately controlled. In certain embodiments, etch rate uniformity may be a function of distance from the center of the workpiece, also referred to as radial non-uniformity. Further, when the workpiece is scanned, there may also be etch rate uniformity issues in the translated direction, referred to as linear non-uniformity. The present workpiece holder comprises a plurality of independently controlled thermal zones to compensate for both radial and linear etch rate non-uniformity.