에칭 방법 및 에칭 장치

기판에 에칭 가스를 공급해서 표면을 에칭하는 에칭 방법에 있어서, 산소를 함유하는 실리콘막이 마련된 상기 기판에 아민 가스를 공급하여, 상기 산소를 함유하는 실리콘막의 표면에, 상기 에칭 가스에 의한 에칭을 방지하기 위한 보호막을 형성해서 보호하는 보호 공정과, 상기 에칭 가스의 하나이며 불소 함유 가스인 제1 에칭 가스와, 상기 아민 가스를 상기 기판에 공급하여, 상기 산소를 함유하는 실리콘막을 에칭하는 제1 에칭 공정을 실시한다. An etching method of supplying etching gases to a substrate to etch a surface of the substrate, includes a protection step of supplying amine gas to the substrate having an oxygen-containing silicon film to form a protective film for preventing etching by the etching gases on a surface of the oxygen-containing silicon film, for protecting the oxygen-containing silicon film, and a first etching step of supplying a first etching gas, which is one of the etching gases and is a fluorine-containing gas, and the amine gas to the substrate to etch the oxygen-containing silicon film.