METHOD OF DETERMINING THE INITIAL CONTACT POINT FOR PARTIAL FIELDS AND METHOD OF SHAPING A SURFACE

The present invention relates to a method and system for shaping a film on a partial field including an initial contact point to reduce the defect degree and high processing time for a small partial field. According to the present invention, the method comprises the steps of: receiving information o...

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Hauptverfasser: LU XIAOMING, SIMPSON LOGAN L, MEISSL MARIO JOHANNES
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:The present invention relates to a method and system for shaping a film on a partial field including an initial contact point to reduce the defect degree and high processing time for a small partial field. According to the present invention, the method comprises the steps of: receiving information on a partial field of a substrate and edges of a patternable area of the substrate; determining a chord connecting intersecting vertices between the partial field and the edge; determining the coordinates of a bisector, wherein the bisector bisects the chord and is orthogonal to the chord; determining the range of an initial contact point on the bisector where a moldable material on a template and substrate come in contact with each other; and allowing a moldable material within the partial field on the substrate to come in contact with the template at the initial contact point within the initial contact point range. 초기 접촉 지점을 포함하는 부분 필드 상의 막을 성형하는 시스템 및 방법. 기판의 부분 필드; 및 기판의 패터닝가능 영역의 에지에 대한 정보를 수신하는 단계. 부분 필드와 에지의 교차 정점을 연결하는 코드를 결정하는 단계. 이등분선의 좌표를 결정하는 단계로서, 이등분선은 코드를 이등분하고, 이등분선은 코드에 대해 직교하는, 이등분선의 좌표 결정 단계. 템플릿 및 기판 상의 성형가능 재료가 서로 접촉하는 이등분선 상의 초기 접촉 지점 범위를 결정하는 단계. 초기 접촉 지점 범위 내의 초기 접촉 지점에서 기판 상의 부분 필드 내의 성형가능 재료를 템플릿에 접촉시키는 단계.