축전 디바이스용 결합제 조성물, 축전 디바이스 전극용 슬러리, 축전 디바이스 전극 및 축전 디바이스

고온 하에서의, 밀착성을 향상시키고, 또한 내부 저항을 저감시킴으로써, 고온 하에서의 충방전 내구 특성이 우수한 축전 디바이스 전극을 제조 가능한 축전 디바이스용 결합제 조성물을 제공한다. 본 발명에 관한 축전 디바이스용 결합제 조성물은, 중합체 (A)와, 액상 매체 (B)를 함유하고, 상기 중합체 (A) 중에 포함되는 반복 단위의 합계를 100질량부로 했을 때, 상기 중합체 (A)가, 공액 디엔 화합물에서 유래하는 반복 단위 (a1)을 15 내지 60질량부, 방향족 비닐 화합물에서 유래하는 반복 단위 (a2)를 35 내지 75질량...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: OTSUKA YOSHIHARU, KUROSUMI SHODAI, NAKAYAMA TAKUYA, MAEGAWA MAKI
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:고온 하에서의, 밀착성을 향상시키고, 또한 내부 저항을 저감시킴으로써, 고온 하에서의 충방전 내구 특성이 우수한 축전 디바이스 전극을 제조 가능한 축전 디바이스용 결합제 조성물을 제공한다. 본 발명에 관한 축전 디바이스용 결합제 조성물은, 중합체 (A)와, 액상 매체 (B)를 함유하고, 상기 중합체 (A) 중에 포함되는 반복 단위의 합계를 100질량부로 했을 때, 상기 중합체 (A)가, 공액 디엔 화합물에서 유래하는 반복 단위 (a1)을 15 내지 60질량부, 방향족 비닐 화합물에서 유래하는 반복 단위 (a2)를 35 내지 75질량부, 및 불포화 카르복실산에서 유래하는 반복 단위 (a3)을 1 내지 10질량부 함유하고, 상기 중합체 (A)의 동적 점탄성 측정에 있어서의 tanδ(손실 탄성률/저장 탄성률)의 피크 톱을 tanδ(Tp), 100℃에서의 tanδ를 tanδ(100℃)로 했을 때, 하기 식 (1)의 관계를 충족한다. tanδ(100℃)/tanδ(Tp)×100≤10 (1) Provided is a binder composition for an electrical storage device, which enables the production of an electrical storage device electrode excellent in charge-discharge durability characteristic under high temperature by improving adhesiveness under high temperature and reducing internal resistance thereunder. The binder composition for an electrical storage device includes: a polymer (A) and a liquid medium (B), wherein, with respect to 100 parts by mass in total of repeating units contained in the polymer (A), the polymer (A) contains: 15 parts by mass to 60 parts by mass of a repeating unit (a1) derived from a conjugated diene compound; 35 parts by mass to 75 parts by mass of a repeating unit (a2) derived from an aromatic vinyl compound; and 1 part by mass to 10 parts by mass of a repeating unit (a3) derived from an unsaturated carboxylic acid, and wherein, when, in dynamic viscoelasticity measurement of the polymer (A), a peak top of tanδ (loss elastic modulus/storage elastic modulus) is represented by tanδ(Tp), and tanδ at 100°C is represented by tanδ(100°C), a relationship of the following expression (1) is satisfied. tanδ(100°C)/tanδ(Tp)×100≤10 (1)