이상 다이오드의 모니터링

본 발명은, 각각의 경우 하나의 드레인 전극(11), 소스 전극(9), 및 게이트 전극(10)을 갖는 MOSFET(7)을 구비한 이상 다이오드(6)를 모니터링하는 방법으로서, 이상 다이오드(6)의 MOSFET(7)의 소스-게이트 전압은 이상 다이오드(6)가 소스-드레인 전압에 대한 제1 목표값(15)으로 오프 상태와 온 상태 간에 전환될 수 있도록 제어되는, 방법에 관한 것이다. 모든 가능한 에러 상태를 검출할 수 있도록, 소스-드레인 전압 및 소스-게이트 전압이 측정되며, 이상 다이오드(6)의 온 상태에서, 소스-드레인 전압이 미리 획정된 에러 한계 내에서 제1 목표값(15)에 도달하는지 판단하기 위해 확인이 수행되고, 제1 목표값(15)보다 작은 제2 목표값이 소스-드레인 전압에 대해 설정되는 테스트 모드가 수행되며, 테스트 모드가 수행될 때 소스-게이트 전압이 상한 임계값에 도달하는지 판단하기 위해 확인이 수행되고, 제1 목표값(15) 및/또는 상한 임계값에 도달하지 않으면 에러 신호가 출력된다. A method for monitoring an ideal diode comprises controlling a source-gate voltage of a MOSFET of the ideal diode such that the ideal diode can be changed between an off and an on state with a first target value for a source-drain voltage. To detect error states, the source-drain voltage and the source-gate voltage are measured. A check is carried out to determine whether the source-drain voltage reaches the first target value within predefined error limits in the on state. A test mode is carried out, in which a second target value which smaller than the first target value is set for the source-drain voltage. A check is carried out to determine whether the source-gate voltage reaches an upper threshold value when the test mode is being carried out. An error signal is output when the first target value and/or the upper threshold value is/are not reached.