TECHNOLOGIES FOR BURST MEMORY WRITE OPERATIONS
Technologies for burst memory write operations are disclosed. In an example embodiment, a memory die has a limited ability to quickly perform memory write operations received from a microcontroller due to thermal constraints. The memory die allows the microcontroller to buffer memory write operation...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; kor |
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Zusammenfassung: | Technologies for burst memory write operations are disclosed. In an example embodiment, a memory die has a limited ability to quickly perform memory write operations received from a microcontroller due to thermal constraints. The memory die allows the microcontroller to buffer memory write operations, alleviating the need to perform expensive rank switches to transfer operations to another die. The microcontroller may then send several successive memory write operations to a first memory die before switching to a second memory die. The first memory die may then perform memory write operations while the microcontroller moves on to other memory operations. A phase-change-based memory die includes a plurality of partitions and a chip controller.
버스트 메모리 기입 동작들을 위한 기술들이 개시된다. 예시적인 실시예에서, 메모리 다이는 열적 제약들로 인해 마이크로컨트롤러로부터 수신하는 메모리 기입 동작들을 얼마나 빨리 수행할 수 있는지에 제한이 있다. 메모리 다이는 마이크로컨트롤러가 메모리 기입 동작들을 버퍼링함으로써 동작을 다른 다이로 전송하기 위해 값비싼 랭크 스위치를 수행할 필요성을 완화할 수 있다. 그런 다음, 마이크로컨트롤러는 제2 메모리 다이로 스위칭하기 전에 여러 연속적인 메모리 기입 동작들을 제1 메모리 다이로 전송할 수 있다. 그런 다음, 제1 메모리 다이는 마이크로컨트롤러가 다른 메모리 동작들로 이동한 동안 메모리 기입 동작들을 수행할 수 있다. |
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