Integrated circuit device

An integrated circuit device includes: a fin-shaped active region extending in a first horizontal direction over a device area of a substrate; a gate line extending in a second horizontal direction crossing the first horizontal direction on the fin-shaped active region; a source/drain region disposed on the fin-shaped active region at a location adjacent to one side of the gate line; a gate contact disposed over the gate line and configured to be connected to the gate line; and a source/drain contact disposed over the source/drain region, and including a first segment facing the gate contact and a second segment integrally connected to the first segment and extending from the first segment in the second horizontal direction. A first distance from the first segment to the gate line in the first horizontal direction is greater than a second distance from the second segment to the gate line. The present invention can improve the reliability of the integrated circuit device. 집적회로 소자는 기판의 소자 영역 상에서 제1 수평 방향으로 연장된 핀형 활성 영역과, 상기 핀형 활성 영역 상에서 상기 제1 수평 방향에 교차하는 제2 수평 방향으로 연장된 게이트 라인과, 상기 게이트 라인의 일측에 인접한 위치에서 상기 핀형 활성 영역 위에 배치된 소스/드레인 영역과, 상기 게이트 라인 위에 배치되고 상기 게이트 라인에 연결되도록 구성된 게이트 콘택과, 상기 소스/드레인 영역 위에 배치되고, 상기 게이트 콘택에 대면하는 제1 세그먼트와 상기 제1 세그먼트에 일체로 연결되고 상기 제1 세그먼트로부터 상기 제2 수평 방향으로 연장된 제2 세그먼트를 포함하는 소스/드레인 콘택을 포함하고, 상기 제1 수평 방향에서 상기 제1 세그먼트로부터 상기 게이트 라인까지의 제1 이격 거리는 상기 제2 세그먼트로부터 상기 게이트 라인까지의 제2 이격 거리보다 더 크다.