SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING BONDING ENHANCEMENT LAYER AND METHOD OF FORMING THE SAME

According to the present invention, a semiconductor device includes a first structure having a first dielectric layer and a first conductive pattern in the first dielectric layer, wherein the first conductive pattern includes a first conductive material and a first bond reinforcement material. In addition, a second structure is provided having a second dielectric layer and a second conductive pattern in the second dielectric layer, wherein the second dielectric layer is in direct contact with the first dielectric layer, and the second conductive pattern is in direct contact with the first conductive pattern. Moreover, a first bond reinforcement layer is disposed between the first conductive pattern and the second dielectric layer. The first bond reinforcement layer includes at least one of materials included in the second dielectric layer and at least one of the first bond reinforcement materials. The first bond reinforcement material includes a material which has a greater bonding force with the material included in the second dielectric layer than the first conductive material. Accordingly, a semiconductor device having excellent bonding strength between a plurality of structures can be implemented. 반도체 소자는 제1 유전층 및 상기 제1 유전층 내의 제1 도전성 패턴을 갖는 제1 구조체를 포함한다. 상기 제1 도전성 패턴은 제1 도전성 물질 및 제1 접합 강화 물질을 포함한다. 제2 유전층 및 상기 제2 유전층 내의 제2 도전성 패턴을 갖는 제2 구조체가 제공된다. 상기 제2 유전층은 상기 제1 유전층 상에 직접적으로 접촉된다. 상기 제2 도전성 패턴은 상기 제1 도전성 패턴 상에 직접적으로 접촉된다. 상기 제1 도전성 패턴과 상기 제2 유전층 사이에 제1 접합 강화 층이 배치된다. 상기 제1 접합 강화 층은 상기 제2 유전층에 포함된 물질 중 적어도 하나 및 상기 제1 접합 강화 물질 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 제1 접합 강화 물질은 상기 제1 도전성 물질 보다 상기 제2 유전층에 포함된 물질과의 결합력이 큰 물질을 포함한다.