PATTERNING METHODS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES AND STRUCTURES RESULTING THEREFROM

Provided are a semiconductor device and a method for forming a semiconductor device. The method includes the steps of: forming a first mask layer over a target layer; forming a plurality of spacers over the first mask layer; and forming a second mask layer over the plurality of spacers and patterning the second mask layer to form a first opening wherein, in a plan view, a major axis of the opening extends in a direction perpendicular to a major axis of a spacer among the plurality of spacers. The method also includes the steps of: depositing a sacrificial material in the opening; patterning the sacrificial material; etching the first mask layer by using the plurality of spacers and the patterned sacrificial material; etching the target layer by using the etched first mask layer to form second openings in the target layer; and filling the second openings in the target layer with a conductive material. Manufacturing costs can be reduced due to simplified treatment. 반도체 디바이스 및 반도체 디바이스를 형성하는 방법이 제공된다. 방법은 타겟 층 위에 제 1 마스크 층을 형성하는 단계, 제 1 마스크 층 위에 복수의 스페이서를 형성하는 단계, 및 복수의 스페이서 위에 제 2 마스크 층을 형성하하고 제 2 마스크 층을 패터닝하여 제 1 개구부를 형성하는 단계를 포함하며, 평면도에서 개구부의 장축은 복수의 스페이서 중의 스페이서의 장축에 수직인 방향으로 연장된다. 방법은 또한 개구부 내에 희생 재료를 퇴적하는 단계, 희생 재료를 패터닝하는 단계, 복수의 스페이서 및 패터닝된 희생 재료를 사용하여 제 1 마스크 층을 에칭하는 단계, 에칭된 제 1 마스크 층을 사용하여 타겟 층을 에칭하여 타겟 층 내에 제 2 개구부를 형성하는 단계, 및 타겟 층 내의 제 2 개구부를 전도성 재료로 충전하는 단계를 포함한다.