INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

An integrated circuit device according to the technical idea of the present invention includes: a substrate; fin-type active regions spaced apart from each other in a first horizontal direction on the substrate and extended in a second horizontal direction perpendicular to the first horizontal direction; a dam structure extended in the second horizontal direction and alternately disposed with the fin-type active regions on the substrate; and a gate electrode extended in the first horizontal direction and intersecting the fin-type active region and the dam structure. A width where the gate electrode is in contact with the fin-type active region is greater than a width where the gate electrode is in contact with the dam structure. 본 발명의 기술적 사상에 따른 집적회로 소자는, 기판, 기판 상에서 제1 수평 방향으로 서로 이격되며 제1 수평 방향과 수직하는 제2 수평 방향으로 연장되는 핀형 활성 영역, 기판 상에서 핀형 활성 영역과 교대로 배치되고 제2 수평 방향으로 연장되는 댐 구조물, 및 핀형 활성 영역 및 댐 구조물과 교차하며 제1 수평 방향으로 연장되는 게이트 전극을 포함하고, 게이트 전극이 핀형 활성 영역과 접촉하는 폭은 게이트 전극이 댐 구조물과 접촉하는 폭보다 더 크다.