고주파 프로세싱을 위한 리드 스택

예시적인 반도체 프로세싱 챔버들은 반도체 프로세싱 챔버의 프로세싱 영역 내에 포지셔닝된 기판 지지체를 포함할 수 있다. 챔버는 리드 플레이트를 포함할 수 있다. 챔버는 리드 플레이트와 기판 지지체 사이에 포지셔닝된 가스박스를 포함할 수 있다. 가스박스는 제1 표면 및 제1 표면의 반대측에 있는 제2 표면을 특징으로 할 수 있다. 가스박스는 중앙 개구를 한정할 수 있다. 가스박스는 가스박스를 통해 중앙 개구 주위로 연장되는 환형 채널을 가스박스의 제1 표면에 한정할 수 있다. 가스박스는 가스박스의 제1 표면에 한정된 환형 채널에 걸쳐 연장되는 환형 커버를 포함할 수 있다. 챔버는 가스박스와 기판 지지체 사이에 포지셔닝된 차단기 플레이트를 포함할 수 있다. 챔버는 리드 플레이트와 차단기 플레이트 사이에 포지셔닝된 페라이트 블록을 포함할 수 있다. Exemplary semiconductor processing chambers may include a substrate support positioned within a processing region of the semiconductor processing chamber. The chamber may include a lid plate. The chamber may include a gasbox positioned between the lid plate and the substrate support. The gasbox may be characterized by a first surface and a second surface opposite the first surface. The gasbox may define a central aperture. The gasbox may define an annular channel in the first surface of the gasbox extending about the central aperture through the gasbox. The gasbox may include an annular cover extending across the annular channel defined in the first surface of the gasbox. The chamber may include a blocker plate positioned between the gasbox and the substrate support. The chamber may include a ferrite block positioned between the lid plate and the blocker plate.