SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING DEVICE

Provided is a semiconductor wafer processing apparatus. The semiconductor wafer processing apparatus includes a chamber and a showerhead for supplying gas into the chamber, wherein the showerhead includes a plate, a plurality of first spray hole groups placed in a first line from the center of the plate, and a second spray hole group placed in a second line outside the first line. The first spray hole groups include a plurality of first spray holes, wherein when L is an average value of distances from the center of the plate to each of the spray holes of the first spray hole groups, the number of first spray holes, of which the distance from the center of the plate is smaller than L, can be greater than the number of first spray holes of which the distance from the center of the plate is greater than L. Therefore, the present invention enables a semiconductor wafer to be processed evenly throughout the whole area thereof. 반도체 웨이퍼 처리장치가 제공된다. 반도체 웨이퍼 처리장치는 챔버 및 챔버 내부에 가스를 공급하기 위한 샤워헤드를 포함하되, 샤워헤드는 플레이트와, 플레이트의 중심으로부터 제1 열을 이루어 배치되는 다수의 제1 분사홀 그룹과, 제1 열보다 외측에 제2 열을 이루어 배치되는 제2 분사홀 그룹을 포함하고, 제1 분사홀 그룹은 다수의 제1 분사홀을 포함하되, L이 플레이트의 중심으로부터 제1 분사홀 그룹의 각 분사홀까지의 거리의 평균값일 때, 플레이트의 중심으로부터의 거리가 L보다 작은 제1 분사홀들의 개수가, 플레이트의 중심으로부터의 거리가 L보다 큰 제1 분사홀들의 개수보다 더 많을 수 있다.