필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법

반도체 칩과, 상기 반도체 칩의 이면에 형성된 필름형 접착제를 구비한 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법으로서, 기재와, 점착제층과, 중간층과, 필름형 접착제를 구비하고, 상기 기재 상에 상기 점착제층, 상기 중간층, 및 상기 필름형 접착제가 이 순서로 적층되어 구성되어 있으며, 상기 중간층이, 중량 평균 분자량이 100000 이하인 비규소계 수지를 주성분으로서 함유하는, 반도체 장치 제조용 시트를 사용하고, 상기 반도체 장치 제조용 시트의 상기 필름형 접착제와, 상기 반도체 칩의 이면을 첩합시킴으로써, 상기 반도체 장치 제조용 시트와, 상기 반도체 칩의 적층물을 제작하는 공정과, 상기 적층물에 대해, 그 상기 반도체 칩이 적층된 측으로부터, 상기 반도체 칩의 외주를 따라 레이저광을 조사함으로써, 상기 점착제층까지는 절입하지 않고 상기 필름형 접착제를 절단하여, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 얻는 공정을 갖는, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법. Provided is a manufacturing method for a semiconductor device manufacturing sheet. The semiconductor device manufacturing sheet comprises a base material, an adhesive layer, an intermediate layer, a film-like bonding agent, and a second peeling film that are stacked in the stated order. The manufacturing method comprises: a first machining step for removing at least a portion of the intermediate layer and the film-like bonding agent from a second intermediate laminate comprising the intermediate layer, the film-like bonding agent, and a first peeling film, thereby attaining a second intermediate laminate machining product; a laminating step for bonding the first intermediate laminate comprising the base material and the adhesive layer together with the second intermediate laminate machining product, thereby attaining a first laminate; a re-pasting step for peeling the first peeling film from the first laminate and pasting the first peeling film onto the second peeling film, thereby attaining a second laminate; and a second machining step for eliminating at least a portion of the base material and the adhesive layer from the second laminate, thereby attaining the semiconductor device manufacturing sheet. The peeling force between the first peeling film and the film-like bonding agent is greater than the peeling force between the second peeling film and the film-like bonding agent.