PLASMA PROCESSING APPARATUS

The present invention relates to a plasma processing device having a gas supply structure for avoiding abnormal discharge. The plasma processing device comprises: a processing container; a power source for supplying high-frequency or microwave power for generating plasma in the processing container; a plurality of gas nozzles having a gas flow path therein; and a plurality of protrusion parts formed integrally with a ceiling wall and/or a side wall that partitions the processing container and protruding from the ceiling wall and/or side wall. Each of the plurality of protrusion parts has a gas hole at an end thereof, and the ceiling wall and/or the side wall have a concave part in which each of the plurality of gas nozzles is disposed such that the gas flow communicates with the gas hole of each of the plurality of protrusion parts. 본 발명은, 이상 방전을 회피하기 위한 가스 공급 구조를 갖는 플라스마 처리 장치를 제공한다. 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에서 플라스마를 생성하기 위한 고주파 또는 마이크로파의 전력을 공급하는 전원과, 내부에 가스 유통로를 갖는 복수의 가스 노즐과, 상기 처리 용기를 구획 형성하는 천장벽 및/또는 측벽과 일체로 형성되고, 상기 천장벽 및/또는 측벽으로부터 돌출되는 복수의 돌출부를 갖고, 상기 복수의 돌출부 각각은, 선단에 가스 구멍을 갖고, 상기 천장벽 및/또는 측벽은, 상기 복수의 돌출부 각각이 갖는 상기 가스 구멍에 상기 가스 유통로가 연통하도록 상기 복수의 가스 노즐 각각이 배치되는 오목부를 갖는 플라스마 처리 장치가 제공된다.