Semiconductor device

According to a concept of the present invention, a semiconductor device comprises: a substrate which includes a first active area and a second active area which are adjacent to each other in a first direction; a first active pattern and a second active pattern which are individually provided on the first and second active areas; a gate electrode which crosses the first active pattern and the second active pattern and extends in the first direction; a gate insulating film which is provided between the gate electrode and the first active pattern and between the gate electrode and the second active pattern; a first work function pattern on the gate insulating film; and a second work function pattern on the first work function pattern. The gate electrode includes: a barrier pattern on the second work function pattern; and a metal pattern on the barrier pattern. Each of the first work function pattern and the second work function pattern includes different metal oxides, and extends in the first direction along the gate electrode. The present invention can improve reliability of the semiconductor device. 본 발명의 개념에 따른, 반도체 소자는, 제1 방향으로 서로 인접한 제1 활성 영역 및 제2 활성 영역을 포함하는 기판; 상기 제1 및 제2 활성 영역들 상에 각각 제공되는 제1 활성 패턴 및 제2 활성 패턴; 상기 제1 활성 패턴 및 상기 제2 활성 패턴을 가로지르며 상기 제1 방향으로 연장되는 게이트 전극; 상기 게이트 전극과 상기 제1 활성 패턴, 및 상기 게이트 전극과 상기 제2 활성 패턴 사이에 제공되는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상의 제1 일함수 패턴; 및 상기 제1 일함수 패턴 상의 제2 일함수 패턴을 포함하되, 상기 게이트 전극은: 상기 제2 일함수 패턴 상의 배리어 패턴; 및 상기 배리어 패턴 상의 금속 패턴을 포함하고, 상기 제1 일함수 패턴 및 상기 제2 일함수 패턴 각각은, 서로 상이한 금속 산화물을 포함하고 상기 게이트 전극을 따라 상기 제1 방향으로 연장될 수 있다.