순환적 자가 제한 에칭 공정

기판을 처리하는 방법은 기판을 통해 채널을 형성하는 단계, 채널의 측벽 상에 다결정질 실리콘 층을 증착하는 단계, 및 산화제로 다결정질 실리콘의 덮이지 않은 표면을 산화시키는 단계를 포함한다. 산화제는 산화된 층을 형성하고, 산화된 층은 다결정질 실리콘의 덮이지 않은 표면 상에 균일한 두께를 갖는다. 방법은 제거제로 채널로부터 산화된 층을 제거하는 단계, 및 미리 결정된 양의 다결정질 실리콘 층을 제거할 때까지 덮이지 않은 표면을 산화시키는 단계와 산화된 층을 제거하는 단계를 반복하는 단계를 포함한다. A method of processing a substrate includes forming a channel through a substrate, depositing a layer of polycrystalline silicon on sidewalls of the channel, and oxidizing uncovered surfaces of the polycrystalline silicon with an oxidation agent. The oxidizing agent causes formation of an oxidized layer, the oxidized layer having a uniform thickness on uncovered surfaces of the polycrystalline silicon. The method includes removing the oxidized layer from the channel with a removal agent, and repeating steps of oxidizing uncovered surfaces and removing the oxidized layer until removing a predetermined amount of the layer of polycrystalline silicon.