반도체 장치 제조용 시트, 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법, 및 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법

기재와, 점착제층과, 중간층과, 필름형 접착제를 구비하고, 상기 기재 상에 상기 점착제층, 상기 중간층, 및 상기 필름형 접착제가 이 순서로 적층되고 있으며, 상기 중간층이, 중량 평균 분자량이 20000∼100000인 비규소계 수지 (β1)을 주성분으로서 함유하고, 상기 필름형 접착제가 액상인 성분 (α2)를 함유하거나, 또는, 상기 점착제층이 액상인 성분 (γ2)를 함유하며, 상기 비규소계 수지 (β1)로 이루어지는 두께 10㎛의 제1 시험편의 헤이즈를 H(β)로 하고, 상기 비규소계 수지 (β1)과 상기 성분 (α2)의 혼합물로 이루어지는 두께 10㎛의 제2 시험편의 헤이즈를 H(βα)로 하며, 상기 비규소계 수지 (β1)과 상기 성분 (γ2)의 혼합물로 이루어지는 두께 10㎛의 제3 시험편의 헤이즈를 H(βγ)로 했을 때, H(βα)－H(β)＞7％, 또는, H(βγ)－H(β)＞7％를 만족하는, 반도체 장치 제조용 시트. Provided is a manufacturing method for a semiconductor device manufacturing sheet. The semiconductor device manufacturing sheet comprises a base material, an adhesive layer, an intermediate layer, a film-like bonding agent, and a second peeling film that are stacked in the stated order. The manufacturing method comprises: a first machining step for removing at least a portion of the intermediate layer and the film-like bonding agent from a second intermediate laminate comprising the intermediate layer, the film-like bonding agent, and a first peeling film, thereby attaining a second intermediate laminate machining product; a laminating step for bonding the first intermediate laminate comprising the base material and the adhesive layer together with the second intermediate laminate machining product, thereby attaining a first laminate; a re-pasting step for peeling the first peeling film from the first laminate and pasting the first peeling film onto the second peeling film, thereby attaining a second laminate; and a second machining step for eliminating at least a portion of the base material and the adhesive layer from the second laminate, thereby attaining the semiconductor device manufacturing sheet. The peeling force between the first peeling film and the film-like bonding agent is greater than the peeling force between the second peeling film and the film-like bonding agent.