금속 또는 반금속-함유 필름의 제조 방법

본 발명은 무기 금속 또는 반금속-함유 필름의 제조 방법의 분야에 속한다. 상기 방법은 (a) 기체 상태의 금속 또는 반금속-함유 화합물을 고체 기판에 증착시키는 단계; 및 (b) 상기 고체 기판을 기체 상태의 하기 화학식 I, II 또는 III의 화합물과 접촉시키는 단계 를 포함한다: JPEGpct00021.jpg45129 상기 식에서, A는 NR, NR2, PR, PR2, O, OR, S 또는 SR이고, E는 N, NR, P, PR, O 또는 S이고, n은 1, 2 또는 3이고, R은 알킬 기, 알켄일 기, 아릴 기 또는 실릴 기이고, R'은 수소, 알킬 기, 알켄일 기, 아릴 기 또는 실릴 기이되, A, E 및 n은 화학식 I, II 또는 III의 화합물이 전기적으로 중성이도록 선택된다. The present invention is in the field of processes for preparing inorganic metal- or semimetal-containing films. The process comprising (a) depositing a metal- or semimetal-containing compound from the gaseous state onto a solid substrate and (b) bringing the solid substrate in contact with a compound of general formula (I), (II), or (III) in the gaseous state (I) (II) (III) wherein A is NR, NR2, PR, PR2, O, OR, S, or SR, E is N, NR, P, PR, O or S, n is 1, 2, or 3, R is an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, or a silyl group and R′ is hydrogen, an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, or a silyl group, and A, E, and n are chosen such that the compound of general formula (I), (II), or (III) is electronically neutral.