수지 조성물, 그것을 사용한 표시 디바이스 또는 수광 디바이스의 제조 방법, 기판 및 디바이스

고온 프로세스에 있어서 열분해되기 어려운 수지막이며, 광 투과율을 향상시킨 디바이스 기판, 디바이스 기판의 제조 방법, 디바이스, 및 디바이스 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 표시 디바이스 또는 수광 디바이스의 기판으로서 사용되는 수지막을 제조하기 위한 수지 조성물이며, (a) 화학식 (1) 또는 (2)로 표시되는 반복 단위를 주성분으로 하는 수지, 및 (b) 화학식 (3)으로 표시되는 화합물 및/또는 그의 축합물을 포함하고, 해당 수지 조성물을 430℃에서 30분 가열하여 얻어지는 수지막의 중량 감소 개시 온도가 400℃ 이상이고, 상기 수지막의 막 두께가 10㎛일 때의 황색도가 3.5 이하인, 수지 조성물. JPEGpct00020.jpg7096 (화학식 (1) 및 (2) 중, X는 탄소수 2 이상의 4가의 테트라카르복실산 잔기를 나타내고, Y는 탄소수 2 이상의 2가의 디아민 잔기를 나타낸다. R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 탄화수소기, 탄소수 1 내지 10의 알킬실릴기, 알칼리 금속 이온, 암모늄 이온, 이미다졸륨 이온 또는 피리디늄 이온을 나타낸다.) JPEGpct00021.jpg2889 (화학식 (3) 중, R11은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 10의 탄화수소기를 나타낸다. R12는 탄소수 1 내지 10의 탄화수소기를 나타낸다. n은 2 내지 4의 정수를 나타낸다.) A device substrate is provided with an increased light transmittance that is a resin film resistant to thermal decomposition in high temperature processes, along with a production method for a device substrate, a device, and a production method for a device, where a resin composition designed to produce a resin film to be used as a substrate for a display device or light receiving device, comprises (a) a resin that has a repeating unit as represented by the chemical formula (1) or (2) as a primary component and (b) a chemical compound as represented by the chemical formula (3) and/or a condensation product thereof,wherein in the chemical formulae (1) and (2), X, Y, R1 and R2 are defined, andSi(OR11)n(R12)4-n (3)wherein in the chemical formula (3), R11 and R12 are as defined.