고성능 코팅을 갖는 반도체 챔버 구성요소들
예시적인 반도체 처리 챔버들은 챔버 몸체를 포함할 수 있다. 챔버들은 샤워헤드를 포함할 수 있다. 챔버들은 기판 지지부를 포함할 수 있다. 기판 지지부는 샤워헤드를 향하는 제1 표면을 특징으로 하는 플래튼을 포함할 수 있다. 기판 지지부는 플래튼의 제1 표면에 대향하는 플래튼의 제2 표면을 따라 플래튼과 결합된 샤프트를 포함할 수 있다. 샤프트는 챔버 몸체를 적어도 부분적으로 통해 연장될 수 있다. 코팅은 플래튼의 제1 표면 주위에, 플래튼의 제2 표면 주위에, 그리고 샤프트 주위에 등각으로 연장될 수 있다. Exemplary se...
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Format: | Patent |
Sprache: | kor |
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Zusammenfassung: | 예시적인 반도체 처리 챔버들은 챔버 몸체를 포함할 수 있다. 챔버들은 샤워헤드를 포함할 수 있다. 챔버들은 기판 지지부를 포함할 수 있다. 기판 지지부는 샤워헤드를 향하는 제1 표면을 특징으로 하는 플래튼을 포함할 수 있다. 기판 지지부는 플래튼의 제1 표면에 대향하는 플래튼의 제2 표면을 따라 플래튼과 결합된 샤프트를 포함할 수 있다. 샤프트는 챔버 몸체를 적어도 부분적으로 통해 연장될 수 있다. 코팅은 플래튼의 제1 표면 주위에, 플래튼의 제2 표면 주위에, 그리고 샤프트 주위에 등각으로 연장될 수 있다.
Exemplary semiconductor processing chambers may include a chamber body. The chambers may include a showerhead. The chambers may include a substrate support. The substrate support may include a platen characterized by a first surface facing the showerhead. The substrate support may include a shaft coupled with the platen along a second surface of the platen opposite the first surface of the platen. The shaft may extend at least partially through the chamber body. A coating may extend conformally about the first surface of the platen, the second surface of the platen, and about the shaft. |
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