DEVICES INCLUDING STACKED NANOSHEET TRANSISTORS

A nanosheet transistor device is provided. The nanosheet transistor device includes a transistor stack including a lower nanosheet transistor having a first nanosheet width and a lower gate width. The transistor stack also includes an upper nanosheet transistor on the lower nanosheet transistor and having a second nanosheet width and an upper gate width that are different from the first nanosheet width and lower gate width, respectively. A related method of forming a nanosheet transistor devices are also provided. 나노시트 트랜지스터 소자가 제공된다. 나노시트 트랜지스터 소자는 제1 나노시트 폭 및 하부 게이트 폭을 갖는 하부 나노시트 트랜지스터를 포함하는 트랜지스터 스택을 포함한다. 트랜지스터 스택은 또한 하부 나노시트 트랜지스터 상에 있고 제1 나노시트 폭 및 하부 게이트 폭과 각각 다른 제2 나노시트 폭 및 상부 게이트 폭을 갖는 상부 나노시트 트랜지스터를 포함한다. 나노시트 트랜지스터 소자를 형성하는 관련 방법이 또한 제공된다.