Method of processing substrate

According to one aspect of the present invention, a substrate processing method comprises: a reforming step of providing a reforming gas for changing a surface layer of a thin film on a substrate into a solid volatile halogen compound under a vacuum atmosphere at a first temperature; a removal step of heating the substrate to a second temperature higher than the first temperature to sublimate and remove the halogen compound from the substrate, wherein a cycle reaction including the reforming step and the removal step is repeated at least once; and a post-treatment step of providing a post-treatment gas onto the substrate to remove a halogen element on a surface of the thin film after repeating the cycle reaction. 본 발명의 일 관점에 따른 기판 처리 방법은, 제 1 온도의 진공 분위기 하에서, 기판 상의 박막의 표면층을 고상의 휘발성 할로겐 화합물로 변화시키기 위한 개질 가스를 제공하는 개질 단계와, 상기 할로겐 화합물을 승화시켜 상기 기판으로부터 제거하기 위해서, 상기 기판을 상기 제 1 온도보다 높은 제 2 온도로 가열하는 제거 단계를 포함하는 사이클 반응을 적어도 1회 반복하고, 상기 사이클 반응의 반복 후에, 상기 박막의 표면 상의 할로겐 원소를 제거하기 위해 상기 기판 상에 후처리 가스를 제공하는 후처리 단계를 포함한다.