AIR SPACER FOR A GATE STRUCTURE OF A TRANSISTOR

A semiconductor structure includes a first device and a second device. The first device includes a first gate structure formed on an active region and a first air spacer disposed adjacent to the first gate structure. The second device includes a second gate structure formed on an isolation structure...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	CHEN YEN MING, LIU YI HSIU, CHEN YEN TING, LEE TSUNG LIN, LEE WEI YANG, YANG FENG CHENG
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A semiconductor structure includes a first device and a second device. The first device includes a first gate structure formed on an active region and a first air spacer disposed adjacent to the first gate structure. The second device includes a second gate structure formed on an isolation structure and a second air spacer disposed adjacent to the second gate structure. The first air spacer and the second air spacer have different sizes. 반도체 구조물은 제1 디바이스 및 제2 디바이스를 포함한다. 제1 디바이스는 활성 영역 위에 형성된 제1 게이트 구조물 및 제1 게이트 구조물에 인접하게 배치된 제1 에어 스페이서를 포함한다. 제2 디바이스는 격리 구조물 위에 형성된 제2 게이트 구조물 및 제2 게이트 구조물에 인접하게 배치된 제2 에어 스페이서를 포함한다. 제1 에어 스페이서와 제2 에어 스페이서는 상이한 사이즈를 갖는다.