금속 그리드를 포함하는 레이저 리프트-오프 처리 시스템

발광 다이오드(LED) 디바이스를 제조하는 방법은 투명 기판 상에 복수의 반도체 층을 퇴적함으로써 LED 구조체를 형성하는 단계를 포함한다. 트렌치된 금속은 복수의 반도체 층에 배치되고, 트렌치된 금속은 투명 기판과 접촉한다. LED 구조체는 캐비티를 사이에 정의하는 전기적 인터커넥트들을 갖는 CMOS 구조체에 부착된다. 레이저 광은 복수의 반도체 층으로부터 투명 기판의 레이저 리프트-오프를 제공하기 위해 사용된다. A method of manufacturing a light emitting diode (LED) device includes forming an LED structure by depositing a plurality of semiconductor layers on a transparent substrate. Trenched metal is placed in the plurality of semiconductor layers, with the trenched metal contacting the transparent substrate. The LED structure is attached to a CMOS structure with electrical interconnects that define a cavity therebetween. Laser light is used to provide laser lift-off of the transparent substrate from the plurality of semiconductor layers.