Substrate treatment method

The present invention relates to a substrate processing method, and more specifically, to a substrate processing method for processing a surface of a thin film. In the present invention, disclosed is a substrate processing method comprising: a thin film forming step (S10) of forming a thin film on a substrate by supplying a first gas containing silicon (Si) and a second gas containing nitrogen (N) under a plasma atmosphere; and a thin film processing step (S30) of processing a surface of the thin film by supplying a third gas containing argon (Ar) and a fourth gas containing helium (He) under a plasma atmosphere, wherein in the thin film processing step (S30), a supply amount of the fourth gas is greater than a supply amount of the third gas to improve characteristics of an upper part of the thin film. The characteristics of the upper part of the thin film is improved by preventing generation of native oxide on the surface of the thin film and minimizing deterioration of the thin film. 본 발명은 기판처리방법에 관한 발명으로서, 보다 상세하게는 박막의 표면을 처리하는 기판처리방법에 관한 발명이다. 본 발명은, 플라즈마 분위기하에서 실리콘(Si)을 포함하는 제1가스 및 질소(N)를 포함하는 제2가스를 공급하여 기판에 박막을 형성하는 박막형성단계(S10)와; 플라즈마 분위기하에서 아르곤(Ar)을 포함하는 제3가스 및 헬륨(He)을 포함하는 제4가스를 공급하여 상기 박막의 표면을 처리하는 박막처리단계(S30)를 포함하며; 상기 박막처리단계(S30)는, 상기 박막 상부 특성을 개선하기 위하여 상기 제4가스의 공급량을 상기 제3가스의 공급량보다 크게 하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법을 개시한다.