반도체 디바이스 중의 자성 구조 및 반도체 디바이스

본 발명은 반도체 디바이스 중의 자성 구조 및 반도체 디바이스를 개시한다. 자성 구조는 반도체 디바이스의 반응 챔버의 외부를 감싸도록 설치된다. 자성 구조는 링형 지지 부재, 복수의 각도 조절 어셈블리 및 복수의 자성 부재를 포함한다. 여기에서 링형 지지 부재는 반도체 디바이스의 반응 챔버를 감싸도록 설치된다. 복수의 각도 조절 어셈블리는 링형 지지 부재와 연결되며 링형 지지 부재의 둘레 방향을 따라 분포된다. 각 자성 부재는 일일이 대응하도록 각 각도 조절 어셈블리와 연결된다. 각도 조절 어셈블리는 대응하는 자성 부재를 링형 지지 부재 상에 고정할 수 있으며, 자성 부재의 자력선 방향 및 자성 부재의 자력선과 반응 챔버의 축선 사이의 협각의 크기를 조절하는 데 사용된다. 본 발명에 개시된 반도체 디바이스 중의 자성 구조 및 반도체 디바이스는 공정 결과를 개선할 수 있을 뿐만 아니라 상이한 공정 수요도 충족시킬 수 있다. A magnetic structure in a semiconductor apparatus is arranged outside of a reaction chamber of the semiconductor apparatus and includes an annular support member, a plurality of angle adjustment assemblies, and a plurality of magnetic members. The annular support member is arranged around the reaction chamber of the semiconductor apparatus. The plurality of angle adjustment assemblies are connected to the annular support member and distributed along a circumferential direction of the annular support member. The plurality of magnetic members are connected to the plurality of angle adjustment assemblies in a one-to-one correspondence. An angle adjustment assembly of the angle adjustment assemblies is configured to fix a corresponding magnetic member of the plurality of magnetic members at the annular support member and adjust a magnetic field line direction of the magnetic member and a magnitude of an included angle.