함불소 중합체, 막, 막의 제조 방법 및 유기 광전자 소자

증착에 적합한 함불소 중합체를 제공한다. 또, 이와 같은 함불소 중합체를 재료로서 포함하는 막을 제공한다. 또, 이와 같은 막을 용이하게 제조 가능한 막의 제조 방법을 제공한다. 또한, 이와 같은 막을 구조로 갖는 유기 광전자 소자를 제공한다. 하기 (1) ∼ (3) 을 만족하는 함불소 중합체. (1) 융점이 200 ℃ 이상이다. (2) 1 × 10-3 Pa 의 압력하에 있어서 승온 속도 2 ℃/분으로 승온시켰을 때의 열중량 감소율이, 400 ℃ 이하에서 실질적으로 100 % 에 도달한다. (3) 1 × 10-3 Pa 의 압력하에...

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Hauptverfasser: TAKEI SAKI, ABE TAKEFUMI, SHIMOHIRA TETSUJI, TSURUOKA KAORI, BEPPU SHOTARO
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:증착에 적합한 함불소 중합체를 제공한다. 또, 이와 같은 함불소 중합체를 재료로서 포함하는 막을 제공한다. 또, 이와 같은 막을 용이하게 제조 가능한 막의 제조 방법을 제공한다. 또한, 이와 같은 막을 구조로 갖는 유기 광전자 소자를 제공한다. 하기 (1) ∼ (3) 을 만족하는 함불소 중합체. (1) 융점이 200 ℃ 이상이다. (2) 1 × 10-3 Pa 의 압력하에 있어서 승온 속도 2 ℃/분으로 승온시켰을 때의 열중량 감소율이, 400 ℃ 이하에서 실질적으로 100 % 에 도달한다. (3) 1 × 10-3 Pa 의 압력하에 있어서 승온 속도 2 ℃/분으로 승온시켰을 때, 열중량 감소율이 10 % 가 되는 온도로부터 90 % 가 되는 온도까지의 온도폭이 100 ℃ 이내이다. A fluorinated polymer suitable for deposition is provided. A film containing such a fluorinated polymer as a material is provided. A method for producing a film, by which such a film can readily be produced, is provided. Further, an organic photoelectronic element having such a film in its structure is provided.A fluorinated polymer which satisfies the following requirements (1) to (3):(1) the melting point is 200°C or higher,(2) the thermogravimetric loss rate when the temperature is increased at a temperature-increasing rate of 2°C/min under a pressure of 1×10-3 Pa, substantially reaches 100% at 400°C or lower,(3) when the temperature is increased at a temperature-increasing rate of 2°C/min under a pressure of 1×10-3 Pa, the temperature width from a temperature at which the thermogravimetric loss rate is 10% to a temperature at which it is 90%, is within 100°C.