SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND SUBSTRATE TREATING METHOD USING THE SAME
The present invention provides a substrate treating device and method suppressing unnecessary additional reaction between a developer and photoresist and preventing the occurrence of photoresist residues generated from additional reaction. The substrate treating device includes: a first process cham...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; kor |
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Zusammenfassung: | The present invention provides a substrate treating device and method suppressing unnecessary additional reaction between a developer and photoresist and preventing the occurrence of photoresist residues generated from additional reaction. The substrate treating device includes: a first process chamber into which an exposed substrate is loaded and the developer and a rinse solution are sequentially applied to the substrate; a transfer chamber transferring the substrate, on which the rinse solution remains, from the first process chamber to a second process chamber; and the second process chamber in which the substrate, on which the rinse solution remains, is loaded and the rinse solution on the substrate is dried by using a supercritical fluid. The rinse solution includes an organic solvent represented by general formula (1), and in general formula (1), R and R' each include an alkyl group having 4 to 20 carbon atoms.
본 발명은 현상액과 감광막의 불필요한 추가 반응을 억제하고, 추가 반응으로 발생하는 감광막 잔여물이 생성되지 않도록 하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다. 상기 기판 처리 장치는 노광 처리된 기판이 반입되고, 상기 기판에 현상액 및 린스액이 차례로 도포되는 제1 공정 챔버; 상기 린스액이 잔류된 기판을 상기 제1 공정 챔버에서 제2 공정 챔버로 이송하는 이송 챔버; 및 상기 린스액이 잔류된 기판이 반입되고, 초임계 유체를 이용해 상기 기판 상의 상기 린스액이 건조되는 제2 공정 챔버를 포함하고, 상기 린스액은 하기 일반식(1)으로 표시되는 유기 용매를 포함하고, JPEGpat00006.jpg2142 (1), 상기 일반식(1)에서, 상기 R, 및 상기 R'은 각각 탄소 원자수 4 내지 20의 알킬(alkyl)기를 포함한다. |
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