Cleaning Method of Deposition Chamber for Depositing Metal-oxide Semiconductor Material

A cleaning method of the present invention is a method for cleaning a deposition chamber of depositing a metal oxide semiconductor material. The method comprises the steps of: supplying, into the deposition chamber, a plurality of chlorine-based gases including a first chlorine-based gas and a second chlorine-based gas different from the first chlorine-based gas, and an inert gas including at least one of krypton (Kr) and xenon (Xe); activating or ionizing the plurality of chlorine-based gases and the inert gas supplied into the deposition chamber by plasma; removing the residual metal oxide semiconductor material deposited in the deposition chamber by a first chlorine-based radical and a second chlorine-based radical generated from the first chlorine-based gas and the second chlorine-based gas and ions of the inert gas; and purging the deposition chamber. The present invention can improve a cleaning rate. 본 발명의 세정 방법은, 금속 산화물 반도체 물질을 증착하는 증착 챔버를 세정하기 위한 방법으로서, 제1 염소계 가스 및 상기 제1 염소계 가스와 다른 제2 염소계 가스를 포함하는 복수의 염소계 가스와, 크립톤(Kr) 및 제논(Xe) 중 적어도 하나를 포함하는 불활성 가스를 상기 증착 챔버내로 공급하는 단계와, 상기 증착 챔버내로 공급된 상기 복수의 염소계 가스 및 상기 불활성 가스를 플라즈마에 의해 활성화 내지 이온화하는 단계와, 상기 제1 염소계 가스 및 상기 제2 염소계 가스로부터 생성된 제1 염소계 라디칼 및 제2 염소계 라디칼과, 상기 불활성 가스의 이온에 의해, 상기 증착 챔버내에 퇴적된 잔류 금속 산화물 반도체 물질을 제거하는 단계와, 상기 증착 챔버를 퍼징하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.