SYSTEMS AND METHODS FOR REDUCING BACKSIDE DEPOSITION AND MITIGATING THICKNESS CHANGES AT SUBSTRATE EDGES

A substrate processing system for depositing a film on a substrate comprises a processing chamber having a substrate support unit for defining reaction volume and supporting the substrate. A gas transmission system is configured to allow process gas to be introduced into the reaction volume of the processing chamber. A plasma generator is configured to selectively generate RF plasma in the reaction volume. A clamping system is configured to enable the substrate to be clamped by the substrate support unit during deposition of the film. A backside purging system is configured to supply reaction substance gas to a backside edge of the substrate to purge a backside edge during the deposition of the film. 기판 상에 막을 증착하기 위한 기판 프로세싱 시스템은 반응 볼륨을 규정하고 기판을 지지하기 위한 기판 지지부를 포함하는 프로세싱 챔버를 포함한다. 가스 전달 시스템은 프로세싱 챔버의 반응 볼륨 내로 프로세스 가스를 도입하도록 구성된다. 플라즈마 생성기는 반응 볼륨 내에 RF 플라즈마를 선택적으로 생성하도록 구성된다. 클램핑 시스템은 막의 증착 동안 기판 지지부에 기판을 클램핑하도록 구성된다. 이면 퍼징 시스템은 막의 증착 동안 이면 에지를 퍼지하도록 기판의 이면 에지에 반응물질 가스를 공급하도록 구성된다.