ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

An electronic device of the present embodiment is an electronic device including a semiconductor memory. The semiconductor memory includes: a first wire; a second wire disposed on the first wire and spaced apart from the first wire; a variable resistance layer disposed between the first wire and the second wire; a first electrode layer disposed between the first wire and the variable resistance layer; and a first oxide layer disposed between the variable resistance layer and the first electrode layer. The first electrode layer includes a carbon material doped with a first element. The first oxide layer may include an oxide of the first element. 본 실시예의 전자 장치는, 반도체 메모리를 포함하는 전자 장치로서, 상기 반도체 메모리는, 제1 배선; 상기 제1 배선 상에 상기 제1 배선과 이격하여 배치되는 제2 배선; 상기 제1 배선과 상기 제2 배선 사이에 배치되는 가변 저항층; 상기 제1 배선과 상기 가변 저항층 사이에 배치되는 제1 전극층; 및 상기 가변 저항층과 상기 제1 전극층 사이에 배치되는 제1 산화물층을 포함하고, 상기 제1 전극층은, 제1 원소가 도핑된 탄소 물질을 포함하고, 상기 제1 산화물층은, 상기 제1 원소의 산화물을 포함할 수 있다.