UPPER ELECTRODE HAVING VARYING THICKNESS FOR PLASMA PROCESSING

An upper part electrode for a substrate processing chamber, when the upper part electrode is disposed in the substrate processing chamber, enables a lower part surface of the upper part electrode to be plasma-facing. The upper part electrode comprises: a central area of the lower part surface; an outer area of the lower part surface; and an edge area of the lower part surface. The outer area is located radially outside of the central area. The edge area is located radially outside of the outer area such that the outer area is located between the central area and the outer area. A thickness of the lower part surface decreases from a first thickness in the central area to a second thickness in the outer area, and increases from the second thickness in the outer area to a third thickness in the edge area. 기판 프로세싱 챔버를 위한 상부 전극은 상부 전극이 기판 프로세싱 챔버 내에 배치될 때, 상부 전극의 하부 표면은 플라즈마-대면이다. 상부 전극은 하부 표면의 중심 영역; 하부 표면의 외측 영역, 및 하부 표면의 에지 영역을 포함한다. 외측 영역은 중심 영역의 방사상으로 외측에 위치된다. 에지 영역은 외측 영역이 중심 영역과 외측 영역 사이에 위치되도록 외측 영역의 방사상으로 외측에 위치된다. 하부 표면의 두께는 중심 영역에서의 제 1 두께로부터 외측 영역에서의 제 2 두께로 감소하고, 그리고 외측 영역에서의 제 2 두께로부터 에지 영역에서의 제 3 두께로 증가한다.