MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

The present invention provides a manufacturing method for a semiconductor device which suppresses chip cracks and bump connection defects to improve yields and reliability. According to one embodiment of the present invention, the manufacturing method for a semiconductor device comprises: preparing a semiconductor wafer with an electrode; electrically connecting the electrode of the semiconductor wafer and a first semiconductor element formed on a semiconductor chip through a bump; forming a first insulation resin layer in the gap between the semiconductor wafer and the semiconductor chip facing each other after or before the connection between the semiconductor wafer and the semiconductor chip; forming a second insulation resin layer up to the thickness at which the semiconductor chip is buried in the semiconductor wafer; grinding the semiconductor chip and the second insulation resin layer until the semiconductor chip becomes a prescribed thickness; forming a first insulation layer on the semiconductor chip on the second insulation resin layer; forming an opening part exposing the electrode on the first insulation layer and the second insulation resin layer; filling the opening part with a conductive material to form a wire connecting the opening part to the conductive material on the first insulation layer; forming a first terminal electrically connected to the wire; and grinding the semiconductor wafer to a prescribed thickness. Grinding the semiconductor wafer to the prescribed thickness is to grind the semiconductor wafer until reaching a finishing thickness. 칩 균열 및 범프 접속 불량이 억제되어, 수율과 신뢰성이 향상된 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법은 전극이 형성된 반도체 웨이퍼를 준비하고, 반도체 칩에 형성된 제1 반도체 소자와 반도체 웨이퍼의 전극을 범프를 통해 전기적으로 접속하고, 반도체 웨이퍼와 반도체 칩과의 접속 전 또는 접속 후에, 서로 대향하는 반도체 웨이퍼와 반도체 칩과의 간극에 제1 절연 수지층을 형성하고, 반도체 웨이퍼에 반도체 칩이 매립되는 두께까지 제2 절연 수지층을 형성하고, 반도체 칩이 소정의 두께가 될 때까지 제2 절연 수지층과 반도체 칩을 연삭하고, 제2 절연 수지층 상 및 반도체 칩에 제1 절연층을 형성하고, 전극을 노출시키는 개구부를 제1 절연층 및 제2 절연 수지층에 형성하고, 개구부를 도전성 재료로 채워, 제1 절연층에 개구부를 매립한 도전성 재료와 접속하는 배선을 형성 하고, 배선에 전기적으로 접속하는 제1 단자를 형성하고, 반도체 웨이퍼를 소정의 두께로 연삭하는 것을 포함하여, 상기 반도체 웨이퍼를 소정의 두께로 연삭하는 것은, 상기 반도체 웨이퍼를 완성 두께에 도달할 때까지 연삭하는 것임을 특징으로 한다.