HIGH PRESSURE WAFER PROCESSING SYSTEMS AND RELATED METHODS

기판을 처리하기 위한 고압 처리 시스템은, 제1 챔버; 기판을 지지하도록 제1 챔버 내에 위치된 페디스털; 제1 챔버에 인접한 제2 챔버; 제2 챔버 내의 압력을 거의 진공으로 낮추도록 구성되는 진공 처리 시스템; 제1 챔버 내의 압력을 제2 챔버 내의 압력으로부터 격리시키기 위한, 제1 챔버와 제2 챔버 사이의 밸브 조립체; 및 제1 챔버 내로 처리 가스를 도입하고, 처리 가스가 제1 챔버 내에 있는 동안 그리고 제1 챔버가 제2 챔버로부터 격리되어 있는 동안 제1 챔버 내의 압력을 적어도 10 기압으로 증가시키도록 구성되는 가스...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	MALIK SULTAN, KANG SEAN S, NEMANI SRINIVAS D, KASIBHOTLA VENKATA RAVISHANKAR, KHAN ADIB, WONG KEITH TATSEUN, LIANG QIWEI
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!