HIGH PRESSURE WAFER PROCESSING SYSTEMS AND RELATED METHODS

기판을 처리하기 위한 고압 처리 시스템은, 제1 챔버; 기판을 지지하도록 제1 챔버 내에 위치된 페디스털; 제1 챔버에 인접한 제2 챔버; 제2 챔버 내의 압력을 거의 진공으로 낮추도록 구성되는 진공 처리 시스템; 제1 챔버 내의 압력을 제2 챔버 내의 압력으로부터 격리시키기 위한, 제1 챔버와 제2 챔버 사이의 밸브 조립체; 및 제1 챔버 내로 처리 가스를 도입하고, 처리 가스가 제1 챔버 내에 있는 동안 그리고 제1 챔버가 제2 챔버로부터 격리되어 있는 동안 제1 챔버 내의 압력을 적어도 10 기압으로 증가시키도록 구성되는 가스 전달 시스템을 포함한다. A high-pressure processing system for processing a substrate includes a first chamber, a pedestal positioned within the first chamber to support the substrate, a second chamber adjacent the first chamber, a vacuum processing system configured to lower a pressure within the second chamber to near vacuum, a valve assembly between the first chamber and the second chamber to isolate the pressure within the first chamber from the pressure within the second chamber, and a gas delivery system configured to introduce a processing gas into the first chamber and to increase the pressure within the first chamber to at least 10 atmospheres while the processing gas is in the first chamber and while the first chamber is isolated from the second chamber.