HEAT CHAMFERING DEVICE AND METHOD

A heat chamfering device may include a support portion configured to support a glass panel, and a heat chamfering portion configured to heat-chamfer an edge of the glass panel by applying a thermal shock to the edge. The support portion may include a contact support portion configured to support the...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: MOON BYOUNGHOON, LEE JOOYOUNG, KONG BOKYUNG, WOO KWANGJE
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:A heat chamfering device may include a support portion configured to support a glass panel, and a heat chamfering portion configured to heat-chamfer an edge of the glass panel by applying a thermal shock to the edge. The support portion may include a contact support portion configured to support the glass panel while being in contact with the glass panel and made of a first material, and a base portion configured to support the contact support portion and made of a second material. The first material may have a lower temperature change due to heat because of a lower thermal conductivity than the second material, may have a lower size change due to high temperature because of a low thermal expansion coefficient, and may be soft because of a lower hardness. The heat chamfering method may include positioning a glass panel on a support portion, and heat-chamfering an edge of the glass panel by applying a thermal shock to the edge of the glass panel. According to the configuration, it is possible to enable a stable and precise heat chamfering process. 히트챔퍼링장치는, 글라스패널을 지지하는 지지부와, 상기 글라스 패널의 에지에 열충격을 가하여 상기 에지를 히트 챔퍼링하는 히트챔퍼링부를 포함할 수 있다. 상기 지지부는 상기 글라스 패널과 접촉된 상태로 상기 글라스 패널을 지지하고 제1물질로 이루어지는 접촉지지부와, 상기 접촉지지부를 지지하고 제2물질로 이루어지는 베이스부를 포함할 수 있다. 상기 제1물질은 상기 제2물질에 비하여 열전도도가 작아 열에 의한 온도 변화가 작고, 열팽창계수가 작아 고온에 의한 사이즈 변화가 작으며, 경도가 작아 연성일 수 있다. 히트챔퍼링방법은, 지지부에 글라스패널을 위치시키는 것과, 상기 글라스 패널의 에지에 열충격을 가하여 상기 글라스 패널의 상기 에지를 히트 챔퍼링하는 것을 포함할 수 있다.