SIP SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING AN INTEGRATED SIP MODULE WITH EMBEDDED INDUCTOR OR PACKAGE

A semiconductor device has a substrate on which a first opening part and a second opening part are formed. A first semiconductor component is disposed on the substrate. The substrate is placed on a carrier. A second semiconductor component is disposed on the carrier in the first opening part of the substrate. A third semiconductor component is disposed in the second opening part. The third semiconductor component is a semiconductor package in some embodiments. A first shielding layer may be formed on the semiconductor package. An encapsulant is deposited on the substrate, the first semiconductor component, and the second semiconductor component. A shielding layer may be formed on the encapsulant. 반도체 소자는 제1 개구부 및 제2 개구부가 형성된 기판을 가진다. 제1 반도체 부품이 기판 상에 배치된다. 기판은 캐리어 상에 배치된다. 제2 반도체 부품은 기판의 제1 개구부 내 캐리어 상에 배치된다. 제3 반도체 부품은 제2 개구부 내에 배치된다. 제3 반도체 부품은 일부 실시예에서 반도체 패키지이다. 제1 차폐 층은 반도체 패키지 위에 형성될 수 있다. 봉지재는 기판, 제1 반도체 부품, 및 제2 반도체 부품 위에 증착된다. 차폐 층은 봉지재 위에 형성될 수 있다.