ADHESIVE PASTE METHOD OF USING ADHESIVE PASTE AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

The present invention relates to an adhesive paste containing a thermosetting organopolysiloxane compound (A) and an organic solvent (SL) having a boiling point of 100℃ or more and less than 254℃, wherein after heating the adhesive paste at 100℃ for 2 hours, the mass reduction rate of the adhesive p...

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Hauptverfasser: MIYAWAKI MANABU, MIURA SUSUMU
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:The present invention relates to an adhesive paste containing a thermosetting organopolysiloxane compound (A) and an organic solvent (SL) having a boiling point of 100℃ or more and less than 254℃, wherein after heating the adhesive paste at 100℃ for 2 hours, the mass reduction rate of the adhesive paste after heating, which is referred to as the mass reduction rate_(100℃ 2h), is 10 % or more, and when the mass reduction rate of the adhesive paste after heating the adhesive paste at 170℃ for 2 hours is referred to as the mass reduction rate_(170℃ 2h), the mass reduction rate_(170℃ 2h) - mass reduction rate_(100℃ 2h) is less than 14%. According to this invention, the cured material obtained by heating at low temperature is excellent in adhesiveness, and the adhesive paste allows mounting a semiconductor element satisfactorily even after a long time elapsed after being applied to an object to be coated. The present invention relates to the adhesive paste, a method of using the adhesive paste as an adhesive for a semiconductor element fixing material, and a method of manufacturing a semiconductor device. 본 발명은, 열경화성 오르가노폴리실록산 화합물 (A) 및 비점이 100 ℃ 이상 254 ℃ 미만인 유기 용매 (SL) 을 함유하는 접착 페이스트로서, 접착 페이스트를 100 ℃ 에서 2 시간 가열한 후의 가열 전후에 있어서의 접착 페이스트의 질량 감소율100℃2h 가 10 % 이상이고, 또한 접착 페이스트를 170 ℃ 에서 2 시간 가열한 후의 가열 전후에 있어서의 접착 페이스트의 질량 감소율을 질량 감소율170℃2h 로 하였을 때에, 질량 감소율170℃2h - 질량 감소율100℃2h 가 14 % 미만인 접착 페이스트이다. 본 발명에 의하면, 저온에서 가열하여 얻어지는 경화물이 접착성이 우수하고, 또한 피도포물에 도포된 후 장시간 경과 후에도, 반도체 소자를 양호하게 마운트하는 것이 가능한 접착 페이스트, 이 접착 페이스트를 반도체 소자 고정재용 접착제로서 사용하는 방법 및 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.