Method for forming metal pattern selectively using water soluble polymer

The present invention relates to a method for forming a metal pattern selectively using a water-soluble polymer. One embodiment of the present invention comprises: forming a water-soluble polymer layer (20) by applying a water-soluble polymer material on the substrate (10) (S100); forming an etching pattern (40) by irradiating a laser (30) on the surface of the substrate on which the water-soluble polymer layer (20) is formed (S200); forming a catalyst layer (50) by applying a catalyst coating solution on the substrate (11) on which the etching pattern (40) is formed (S300); removing the water-soluble polymer layer (21) so that the catalyst layer (51) remains only on the etching pattern (40) (S400); and forming an electroless plating layer (60) on the catalyst layer (51) by performing electroless plating (S500). According to an embodiment of the present invention, a metal pattern can be formed selectively by electroless plating by removing the water-soluble polymer layer again after forming the water-soluble polymer layer so that the catalyst layer remains only in the etching pattern. 본 발명의 일실시예는, 기판(10) 상에 수용성 고분자 물질을 도포하여 수용성 고분자층(20)을 형성하는 단계(S100); 상기 수용성 고분자층(20)이 형성된 기판 표면에 레이저(30)를 조사하여 식각패턴(40)을 형성하는 단계(S200); 상기 식각패턴(40)이 형성된 기판(11) 상에 촉매코팅액을 도포하여 촉매층(50)을 형성하는 단계(S300); 상기 식각패턴(40)에만 상기 촉매층(51)이 남도록 상기 수용성 고분자층(21)을 제거하는 단계(S400); 및 무전해도금을 수행하여 상기 촉매층(51) 상에 무전해도금층(60)을 형성하는 단계(S500); 를 포함하는 수용성 고분자를 이용한 선택적 금속 패턴 형성 방법을 제공한다. 본 발명의 실시예에 따르면, 수용성 고분자층을 형성한 이후에 다시 상기 수용성 고분자층을 제거함으로써 식각패턴에만 촉매층이 남도록 하여 무전해도금으로 선택적인 금속 패턴을 형성할 수 있다.