실리카 입자, 실리카 졸, 연마 조성물, 연마 방법, 반도체 웨이퍼의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법
본 발명의 과제는, 2 차 응집을 억제하고, 분산 안정성이 우수하며, 연마에 적합한 실리카 입자, 그 실리카 입자를 함유하는 실리카 졸 및 그 실리카 졸을 함유하는 연마 조성물을 제공하는 것이다. 본 발명은, 전계 방출형 주사 전자 현미경에 의해서 측정한 원형도 계수의 평균치가 0.90 이상이고, 상기 원형도 계수의 표준 편차가 0.05 이하인, 실리카 입자에 관한 것이다. An object of the present invention is to provide a silica particle, a silica sol containi...
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Format: | Patent |
Sprache: | kor |
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Zusammenfassung: | 본 발명의 과제는, 2 차 응집을 억제하고, 분산 안정성이 우수하며, 연마에 적합한 실리카 입자, 그 실리카 입자를 함유하는 실리카 졸 및 그 실리카 졸을 함유하는 연마 조성물을 제공하는 것이다. 본 발명은, 전계 방출형 주사 전자 현미경에 의해서 측정한 원형도 계수의 평균치가 0.90 이상이고, 상기 원형도 계수의 표준 편차가 0.05 이하인, 실리카 입자에 관한 것이다.
An object of the present invention is to provide a silica particle, a silica sol containing the silica particle, and a polishing composition containing the silica sol, which prevent secondary aggregation, have excellent dispersion stability, and are suitable for polishing. The present invention relates to a silica particle in which an average value of a circularity coefficient measured by a field-emission scanning electron microscope is 0.90 or more, and a standard deviation of the circularity coefficient is 0.05 or less. |
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